Компания Samsung объявила о начале производства первых в мире модулей флэш-памяти eUFS, объём которых достигает 512 ГБ. В основе накопителей, предназначенных для флагманских смартфонов и планшетов, лежат восемь шестидесятичетырёхслойных 512-гигабитных чипов V-NAND.
Максимальная скорость последовательного чтения накопителей составляет 860 МБ/с, скорость записи — 255 МБ/с. Как утверждает Samsung, по этим показателям модули eUFS в восемь раз превосходят обычные карты памяти micro-SD. Производительность при операциях чтения и записи блоками по 4 КБ с произвольным доступом достигает 42 000 IOPS и 40 000 IOPS соответственно. Объём в 512 ГБ позволит хранить на мобильном устройстве около ста тридцати видеороликов длительностью по 10 минут каждый в разрешении Ultra HD (3840х2160 точек).
Загрузка...
